10月21日電，特阿卜杜拉國王科技大學研究人員在微芯片設計領域創下新紀錄，成功研制出全球首個面向大面積電子器件的6層堆疊式混合互補金屬氧化物半導體（CMOS）芯片。此前公開報道的混合CMOS堆疊層數從未超過兩層，這一突破標志著芯片集成密度與能效邁上新臺階，有助電子設備的小型化和性能提升。
10月21日電，特阿卜杜拉國王科技大學研究人員在微芯片設計領域創下新紀錄，成功研制出全球首個面向大面積電子器件的6層堆疊式混合互補金屬氧化物半導體（CMOS）芯片。此前公開報道的混合CMOS堆疊層數從未超過兩層，這一突破標志著芯片集成密度與能效邁上新臺階，有助電子設備的小型化和性能提升。